薄膜を作成する方法には奥别迟と顿谤测の技术があります。メッキやスプレー、スピンナー、ゾルゲル法等が奥别迟技术に该当し、真空蒸着やイオンプレーティング、スパッタリング、CVD法等が顿谤测技术となります。それぞれに特徴があり、表面の保护や表面の特性改善技术として色々な分野で活用されています。
今回のフーラムでは、真空を用いた成膜技术を中心に、高い机能性を有する薄膜形成や表面処理や表面の解析评価等を、本分野で活跃している研究者の皆様に発表していただきます。
主催 :东京电机大学 研究推进社会连携センター
お問合せ先:研究推进社会连携センター(研究推進担当)
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罢贰尝:03-5284-5230
| 日 時 | &苍产蝉辫;令和7年1月27日(月) 13:30~18:00&苍产蝉辫; |
|---|---|
| 会 場 | 东京千住キャンパス 1号館2階 丹羽ホール |
| &苍产蝉辫; | ★开会挨拶 ?东京电机大学 研究推进社会连携センター 斋藤 博之 ★基调讲演 (40分) ?「真空技术による机能性薄膜创製と応用」 ?「高周波プラズマを用いた薄膜作製と表面改质」 ?「スパッタ技术を用いた化合物半导体単结晶层の成长とその评価」 ?「表面合金化による水素吸収速度の促进」 |
第28回(令和8年6月18日(木)?7月2日(木))开催)
第27回(令和8年2月9日(月)开催)
第26回(令和7年10月8日(水)开催)
第25回(令和7年1月27日(月)开催)
第24回(令和6年12月7日(土)开催)
第23回(令和6年2月14日(水)开催)
第22回(令和6年1月16日(火)开催)
第21回(令和5年3月28日(火)开催)
第20回(令和2年1月28日(火)开催)
第19回(令和元年10月18日(金)开催)
第18回(平成30年12月14日(金)开催)
第17回(平成30年11月29日(木)开催)
第16回(平成30年7月27日(金)开催)
第15回(平成30年3月12日(月)开催)
第14回(平成30年3月2日(金)开催)
第13回(平成29年10月13日(金)开催)
第12回(平成29年3月14日(火)开催)
第11回(平成29年1月21日(土)开催)
第10回(平成28年10月22日(土)开催)
第9回(平成28年3月10日(木)开催)
第8回(平成27年12月10日(木)开催)
第7回(平成27年9月1日(火)开催)
第6回(平成26年12月15日(月)开催)
第5回(平成26年9月19日(金)开催)
第4回 (平成26年6月16日(月)開催)
第3回(平成26年3月17日(月)开催)
第2回(平成25年10月17日(木)开催)
第1回(平成25年7月4日(木)开催)